ترانزیستور تک‌الکترونی یک قطعه الکترونیکی در ابعاد نانومتر است که شامل سه الکترود فلزی و یک جزیره یا نقطه کوانتومی می‌باشد. جزیره می‌تواند از نانومواد کربنی مانند نوار نانومتری گرافنی انتخاب شود. تعداد اتمهای کربن موجود در نوار نانومتری گرافنی بر سرعت عملکرد ترانزیستور چکیده کامل
ترانزیستور تک‌الکترونی یک قطعه الکترونیکی در ابعاد نانومتر است که شامل سه الکترود فلزی و یک جزیره یا نقطه کوانتومی می‌باشد. جزیره می‌تواند از نانومواد کربنی مانند نوار نانومتری گرافنی انتخاب شود. تعداد اتمهای کربن موجود در نوار نانومتری گرافنی بر سرعت عملکرد ترانزیستور و ناحیه انسداد کولنی تأثیر می‌گذارد. در این تحقیق، جریان ترانزیستور تک‌الکترونی با جزیره‌ای از نوار نانومتری گرافنی مدل‌سازی شده است. تأثیر عواملی از جمله تعداد اتمهای کربن موجود در عرض نوار نانومتری گرافنی، طول نوار نانومتری گرافنی و ولتاژ اعمالی بر گیت روی جریان ترانزیستور بررسی شده است. نتایج مدل‌سازی نشان می‌دهد که با افزایش تعداد اتم‌ها در عرض نوار نانومتری گرافنی، ناحیه انسداد کولنی در نمودارهای پایداری بار ترانزیستور کاهش می‌یابد. همچنین کاهش طول نوار نانومتری گرافنی و افزایش ولتاژ اعمالی بر گیت باعث کاهش ناحیه جریان صفر ترانزیستور می‌شود. افزایش تعداد اتم‌ها در عرض سه جزیره باعث افزایش ناحیه تونل‌زنی تک‌الکترون و بهبود عملکرد ترانزیستور می‌شود.
پرونده مقاله
